IGBT, IKQ150N65EH7XKSA1, N-Canal, 150 A, 650 V, PG-TO247-3-PLUS-N, 3-Pines 1

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Código RS:
284-990
Nº ref. fabric.:
IKQ150N65EH7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

150 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

650 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

621 W

Configuración

Colector único, emisor simple, puerta simple

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3-PLUS-N

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

El IGBT de Infineon ejemplifica el rendimiento de vanguardia con su diseño de alta velocidad y baja tensión de saturación, adaptado para aplicaciones exigentes en diversos sectores. Este producto aprovecha la avanzada tecnología IGBT7 de parada en zanja, logrando una notable eficiencia a 650 V. Su estructura copacked con un diodo 7 controlado por emisor suave y de rápida recuperación garantiza una fiabilidad y un rendimiento del circuito integrado excepcionales. Ideal para sistemas SAI industriales y estaciones de carga de vehículos eléctricos Diseñado teniendo en cuenta la resistencia a la humedad, el producto ofrece una mayor durabilidad en entornos difíciles.

Proporciona bajas pérdidas de conmutación para una mayor eficiencia
Baja tensión de saturación del colector emisor
Optimizado para aplicaciones de conmutación dura
Garantiza la resistencia a la humedad para una mayor fiabilidad
Ofrece una gama de productos y modelos PSpice
Cualificado para aplicaciones industriales y normas rigurosas

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