IGBT, IGQ75N120S7XKSA1, N-Canal, 75 A, 1200 V, PG-TO247-3-PLUS-N, 3-Pines 1

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
284-981
Nº ref. fabric.:
IGQ75N120S7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Corriente Máxima Continua del Colector

75 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

1200 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±20V

Número de transistores

1

Disipación de Potencia Máxima

630 W

Tipo de Encapsulado

PG-TO247-3-PLUS-N

Configuración

Colector único, emisor simple, puerta simple

Tipo de Montaje

Montaje en orificio pasante

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

El IGBT de Infineon está diseñado para funcionar eficientemente a 1200 V, garantizando al mismo tiempo un rendimiento robusto en aplicaciones exigentes. Con tecnología de zanja de vanguardia, este dispositivo destaca en el manejo de altos niveles de corriente de hasta 75 A, lo que lo hace ideal para fuentes de alimentación industriales y sistemas de energía renovable como inversores solares. Su meticuloso diseño garantiza una baja tensión de saturación y una importante capacidad de control dv/dt, lo que mejora la fiabilidad y la eficiencia de los sistemas de conversión de potencia. Con un gran énfasis en la durabilidad, este IGBT está validado para aplicaciones industriales según las estrictas normas JEDEC, lo que garantiza que cumple las rigurosas exigencias de la electrónica moderna.

Diseñado con tecnología de zanja para mayor eficacia
La resistencia a los cortocircuitos garantiza un rendimiento fiable
Amplio rango de temperaturas para diversas aplicaciones
La reducción de las pérdidas por conmutación mejora la gestión térmica
Optimizado para uso industrial de alto rendimiento
Modelos PSpice completos para facilitar la integración
La baja carga de puerta permite velocidades de conmutación más rápidas

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