MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IMYH200R050M1HXKSA1, VDSS 2000 V, ID 48 A, Mejora, PG-TO-247-4-PLUS-NT14 de 4 pines
- Código RS:
- 349-111
- Nº ref. fabric.:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 349-111
- Nº ref. fabric.:
- IMYH200R050M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 48A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 2000V | |
| Encapsulado | PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 70mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 82nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 348W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 48A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 2000V | ||
Encapsulado PG-TO-247-4-PLUS-NT14 | ||
Serie CoolSiC | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 70mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 82nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 348W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- MY
Este CoolSiC 2000 V SiC Trench de Infineon es un MOSFET de carburo de silicio de alto rendimiento que incorpora la tecnología de interconexión .XT para un rendimiento térmico y eléctrico mejorado. Con una tensión umbral de puerta de referencia (VGS(th)) de 4,5 V, ofrece una conmutación fiable y eficiente, lo que lo hace ideal para aplicaciones de potencia de alta tensión. Este MOSFET ofrece un rendimiento superior y garantiza una eficiencia excelente y un funcionamiento robusto incluso en entornos exigentes.
Pérdidas por conmutación muy bajas
Diodo de cuerpo robusto para conmutación dura
Conforme a RoHS
Sin halógenos
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