MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 195 A, Mejora, TO-247 de 3 pines

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Código RS:
145-9658
Nº ref. fabric.:
IRFP7530PBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

195A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

StrongIRFET

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

274nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.31 mm

Altura

20.7mm

Longitud

15.87mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
MX

MOSFET Infineon de la serie StrongIRFET, corriente de drenaje continua máxima de 195 A, disipación de potencia máxima de 341 W - IRFP7530PBF


Este MOSFET está destinado a aplicaciones de gestión de potencia de alto rendimiento, ofreciendo características que soportan una gran variedad de sistemas electrónicos. Facilita la transferencia eficiente de energía y minimiza la pérdida de potencia, por lo que es un componente vital en los circuitos avanzados utilizados en automatización y control de motores.

Características y ventajas


• La corriente de drenaje continua de 195 A mejora la eficiencia operativa

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V para diversas aplicaciones

• La baja resistencia de encendido de 2mΩ reduce la disipación de energía

• Resiste temperaturas extremas de -55°C a +175°C

• La tensión umbral de puerta de 2,1 V a 3,7 V optimiza la conmutación

• La alta resistencia a la avalancha y al dV/dt dinámico aumenta la fiabilidad

Aplicaciones


• Adecuado para motores con escobillas

• Se utiliza en circuitos alimentados por batería para mejorar la eficiencia

• Aplicable en configuraciones de medio puente y puente completo para un diseño flexible de los circuitos

• Eficaz en el rectificador síncrono para mejorar la eficacia

• Utilizados en convertidores CC/CC y CA/CC de la electrónica de potencia

¿Qué ventajas tiene su uso en aplicaciones de alta corriente?


El empleo de este MOSFET en condiciones de alta corriente permite una gestión eficaz de la potencia a la vez que minimiza la generación de calor gracias a su baja resistencia a la conexión, lo que garantiza un rendimiento estable en operaciones rigurosas.

¿Cómo afecta la temperatura al rendimiento?


La temperatura influye en los límites operativos, con una temperatura de unión máxima de 175°C que garantiza la funcionalidad en condiciones severas. Sus propiedades de resistencia térmica ayudan a mantener la fiabilidad en entornos de altas temperaturas.

¿Puede integrarse en los circuitos existentes?


Sí, su diseño de encapsulado TO-247 estándar permite una fácil integración tanto en diseños de circuitos nuevos como existentes, por lo que resulta adecuado para sustituciones o actualizaciones en diversas aplicaciones.

¿Qué hay que tener en cuenta para una disipación eficaz del calor?


Para mantener un rendimiento óptimo, asegúrese de contar con los mecanismos de refrigeración adecuados, ya que la potencia máxima disipada es de 341 W. El uso de disipadores o ventiladores puede ayudar a gestionar la temperatura de forma eficaz.

¿Es adecuado para su uso en aplicaciones de automoción?


Sí, sus robustas especificaciones cumplen los requisitos de las aplicaciones de automoción, proporcionando una elección adecuada en entornos de alta temperatura y alta potencia.

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