MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 195 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
165-8288
Nº ref. fabric.:
IRFS4115TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

195A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

77nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.67mm

Altura

4.83mm

Anchura

11.3mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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