MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 195 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
165-8288
Nº ref. fabric.:
IRFS4115TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

195A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

77nC

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.67mm

Altura

4.83mm

Anchura

11.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon


La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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