MOSFET Infineon IRFS7534TRLPBF, VDSS 60 V, ID 195 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 820-8873
Nº ref. fabric.:: IRFS7534TRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFS7534TRLPBF, VDSS 60 V, ID 195 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

2,855 €

(exc. IVA)

3,455 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 18	2,855 €	5,71 €
20 - 48	2,625 €	5,25 €
50 - 98	2,455 €	4,91 €
100 - 198	2,285 €	4,57 €
200 +	2,11 €	4,22 €

*precio indicativo

Producto Alternativo

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Transistor MOSFET Infineon AUIRLS3036, VDSS 60 V, ID 195 A, 270 A, D2PAK de 3 pines, config. Simple

Código RS: 784-9240

Precio Unidad

2,40 €

(exc. IVA)

2,90 €

(inc.IVA)

Código RS:: 820-8873
Nº ref. fabric.:: IRFS7534TRLPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon

La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja R_DS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	195 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Serie	StrongIRFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2,4 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
Disipación de Potencia Máxima	294 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Ancho	9.65mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	186 nC a 10 V
Longitud	10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Altura	4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C