MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFP7530PBF, VDSS 60 V, ID 195 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 820-8855
- Nº ref. fabric.:
- IRFP7530PBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 2 unidades)*
8,69 €
(exc. IVA)
10,514 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 2 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 252 unidad(es) más para enviar a partir del 09 de septiembre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 4,345 € | 8,69 € |
| 20 - 48 | 3,785 € | 7,57 € |
| 50 - 98 | 3,515 € | 7,03 € |
| 100 - 198 | 3,26 € | 6,52 € |
| 200 + | 3,04 € | 6,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 820-8855
- Nº ref. fabric.:
- IRFP7530PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 195A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 341W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 274nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 20.7mm | |
| Anchura | 5.31mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 195A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 341W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 274nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 20.7mm | ||
Anchura 5.31mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.87mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon de la serie StrongIRFET, corriente de drenaje continua máxima de 195 A, disipación de potencia máxima de 341 W - IRFP7530PBF
Este MOSFET está destinado a aplicaciones de gestión de potencia de alto rendimiento, ofreciendo características que soportan una gran variedad de sistemas electrónicos. Facilita la transferencia eficiente de energía y minimiza la pérdida de potencia, por lo que es un componente vital en los circuitos avanzados utilizados en automatización y control de motores.
Características y ventajas
• La corriente de drenaje continua de 195 A mejora la eficiencia operativa
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V para diversas aplicaciones
• La baja resistencia de encendido de 2mΩ reduce la disipación de energía
• Resiste temperaturas extremas de -55°C a +175°C
• La tensión umbral de puerta de 2,1 V a 3,7 V optimiza la conmutación
• La alta resistencia a la avalancha y al dV/dt dinámico aumenta la fiabilidad
Aplicaciones
• Adecuado para motores con escobillas
• Se utiliza en circuitos alimentados por batería para mejorar la eficiencia
• Aplicable en configuraciones de medio puente y puente completo para un diseño flexible de los circuitos
• Eficaz en el rectificador síncrono para mejorar la eficacia
• Utilizados en convertidores CC/CC y CA/CC de la electrónica de potencia
¿Qué ventajas tiene su uso en aplicaciones de alta corriente?
El empleo de este MOSFET en condiciones de alta corriente permite una gestión eficaz de la potencia a la vez que minimiza la generación de calor gracias a su baja resistencia a la conexión, lo que garantiza un rendimiento estable en operaciones rigurosas.
¿Cómo afecta la temperatura al rendimiento?
La temperatura influye en los límites operativos, con una temperatura de unión máxima de 175°C que garantiza la funcionalidad en condiciones severas. Sus propiedades de resistencia térmica ayudan a mantener la fiabilidad en entornos de altas temperaturas.
¿Puede integrarse en los circuitos existentes?
Sí, su diseño de encapsulado TO-247 estándar permite una fácil integración tanto en diseños de circuitos nuevos como existentes, por lo que resulta adecuado para sustituciones o actualizaciones en diversas aplicaciones.
¿Qué hay que tener en cuenta para una disipación eficaz del calor?
Para mantener un rendimiento óptimo, asegúrese de contar con los mecanismos de refrigeración adecuados, ya que la potencia máxima disipada es de 341 W. El uso de disipadores o ventiladores puede ayudar a gestionar la temperatura de forma eficaz.
¿Es adecuado para su uso en aplicaciones de automoción?
Sí, sus robustas especificaciones cumplen los requisitos de las aplicaciones de automoción, proporcionando una elección adecuada en entornos de alta temperatura y alta potencia.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET Infineon VDSS 2000 V Mejora
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-263 de 3 pines