MOSFET Infineon IRFP7530PBF, VDSS 60 V, ID 195 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 820-8855
Nº ref. fabric.:: IRFP7530PBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRFP7530PBF, VDSS 60 V, ID 195 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

38 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 2)

3,225 €

(exc. IVA)

3,902 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
2 - 18	3,225 €	6,45 €
20 - 48	2,805 €	5,61 €
50 - 98	2,61 €	5,22 €
100 - 198	2,42 €	4,84 €
200 +	2,255 €	4,51 €

*precio indicativo

Código RS:: 820-8855
Nº ref. fabric.:: IRFP7530PBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon

La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja R_DS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	195 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	60 V
Tipo de Encapsulado	TO-247
Serie	StrongIRFET
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	2 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
Disipación de Potencia Máxima	341 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	274 nC a 10 V
Longitud	15.87mm
Ancho	5.31mm
Altura	20.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C