MOSFET de potencia Infineon, Tipo N-Canal IAUC60N04S6L030HATMA1, VDSS 40 V, ID 60 A, SuperSO8 5 x 6, N de 8 pines,

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Código RS:
249-6889
Nº ref. fabric.:
IAUC60N04S6L030HATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

60A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SuperSO8 5 x 6

Serie

OptiMOS-TM6

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Modo de canal

N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Disipación de potencia máxima Pd

75W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

27nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Configuración de transistor

Medio puente

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El OptiMOS de Infineon es un MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción. El canal de funcionamiento es N. Cuenta con la certificación AEC Q101. MSL1 hasta 260 °C de reflujo máximo. Producto ecológico (conforme con RoHS) y se ha probado 100% con avalancha.

Temperaturas de funcionamiento: 175°C

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