MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
249-6903
Nº ref. fabric.:
IPB80N06S4L07ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El OptiMOS de Infineon es un MOSFET de potencia para aplicaciones de automoción. El canal de funcionamiento es N. Cuenta con la certificación AEC Q101. MSL1 hasta 260 °C de reflujo máximo. Producto ecológico (conforme con RoHS) y se ha probado 100% con avalancha.

Temperaturas de funcionamiento: 175°C

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