MOSFET, N-Canal Infineon IMBF170R450M1XTMA1, VDSS 100 V, ID 64 A, N, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
249-6950
Nº ref. fabric.:
IMBF170R450M1XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

64A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

IMBF

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

MOSFET serie IMBF de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 100 V, corriente de drenaje continua de 64 A - IMBF170R450M1XTMA1


Este MOSFET es un transistor de canal N de alta corriente diseñado para conmutación de potencia en conjuntos de montaje en superficie. Funciona en un amplio rango de temperaturas adecuado para entornos exigentes y proporciona bajas pérdidas de conducción y un manejo de potencia apreciable en sistemas que requieren un control de accionamiento de puerta robusto.

Características y ventajas:


• La baja resistencia de encendido de 1,7 mΩ reduce las pérdidas por conducción y el calor
• El valor nominal de drenaje-fuente de 100 V permite aplicaciones de conmutación de media tensión
• La corriente de drenaje continua de 64 A admite etapas de potencia de alta corriente
• La disipación de potencia de 81 W permite una carga térmica sostenida
• La carga de puerta típica de 80 nC permite una conmutación eficiente con un accionamiento moderado
• El límite de fuente de puerta de 20 V proporciona margen para diseños de accionamiento de puerta robustos

Aplicaciones


• Apto para convertidores dc-dc en fuentes de alimentación industriales
• Ideal para etapas de accionamiento de motor en sistemas de electrónica de potencia
• Se utiliza para la conmutación de carga en la gestión de baterías de alta corriente
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en convertidores de potencia
• Adecuado para módulos de alimentación de montaje en superficie en placas compactas

¿Qué consideraciones de accionamiento de puerta son necesarias para una conmutación rápida?


Utilice un controlador capaz de generar y absorber la carga de puerta de 80 nC para lograr el dV/dt deseado al tiempo que gestiona las pérdidas de conmutación.

¿Cómo debe abordarse la gestión térmica en los diseños?


Implementar un área de cobre de PCB adecuada y vias térmicas bajo el tamaño TO-263 para disipar la pérdida de unión de 81 W durante el funcionamiento continuo.

¿Qué límites protegen el dispositivo contra una tensión de puerta excesiva?


Mantenga la amplitud de accionamiento de puerta dentro de la fuente de puerta de 20 V máxima para evitar la tensión de óxido de puerta y posibles fallos del dispositivo.

¿Cómo afecta el rango de temperatura de funcionamiento a la selección de la aplicación?


El rango de −55 °C a 175 °C permite el despliegue en entornos con temperaturas ambiente extremas frías o elevadas donde otros componentes pueden no ser adecuados.

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