MOSFET Infineon, Tipo N-Canal FS55MR12W1M1HB11NPSA1, VDSS 1200 V, ID 15 A, AG-EASY1B, Mejora de 8 pines

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Código RS:
250-0229
Nº ref. fabric.:
FS55MR12W1M1HB11NPSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

15A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

AG-EASY1B

Serie

FS55MR12W1M1H_B11

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

114mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-10 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

IEC 60747, 60749 and 60068

Estándar de automoción

AEC-Q101

Módulo de seis paquetes Infineon CoolSiC MOSFET EasyPACK™ 1B de 1.200 V / 55 mΩ con MOSFET CoolSiC™ con tecnología de contacto NTC y PressFIT de primera generación mejorada.

Diseño inductivo bajo

Pérdidas de conmutación bajas

Montaje resistente gracias a abrazaderas de montaje integradas

Tecnología de contacto PressFIT

Sensor de temperatura NTC integrado

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