Transistores de pequeña señal OptiMOSTM2 Infineon, Tipo N-Canal BSD840NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 880 mA, US, Doble N de

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

279,00 €

(exc. IVA)

339,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 17 de febrero de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 +0,093 €279,00 €

*precio indicativo

Código RS:
250-0525
Nº ref. fabric.:
BSD840NH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

Transistores de pequeña señal OptiMOSTM2

Corriente continua máxima de drenaje ld

880mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

US

Serie

BSD840N

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Doble N

Tensión máxima de la fuente de la puerta

750mV

Disipación de potencia máxima Pd

400mW

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.26nC

Configuración de transistor

Doble N

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los productos de canal n de pequeña señal de Infineon son adecuados para aplicaciones de automoción. Este dispositivo es un transistor de señal pequeña OptiMOS 2. Canal N doble, modo de mejora. El dispositivo ofrece un nivel ultralógico (valor nominal de 1,8 V) y tiene clasificación de avalancha.

Modo de mejora y chapado sin plomo

Vds es de 20 V e Id es de 0,88 A

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.