Transistores de pequeña señal OptiMOSTM2 Infineon, Tipo N-Canal BSD840NH6327XTSA1, VDSS 20 V, ID 880 mA, US, Doble N de

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
250-0526
Nº ref. fabric.:
BSD840NH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

Transistores de pequeña señal OptiMOSTM2

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

880mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

US

Serie

BSD840N

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

400mΩ

Modo de canal

Doble N

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.26nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

750mV

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

400mW

Configuración de transistor

Doble N

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

IEC61249-2-21, RoHS

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los productos de canal n de pequeña señal de Infineon son adecuados para aplicaciones de automoción. Este dispositivo es un transistor de señal pequeña OptiMOS 2. Canal N doble, modo de mejora. El dispositivo ofrece un nivel ultralógico (valor nominal de 1,8 V) y tiene clasificación de avalancha.

Modo de mejora y chapado sin plomo

Vds es de 20 V e Id es de 0,88 A

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