MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 153 A, Reducción, POWERPAK SO-8DC de 8 pines

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Código RS:
252-0259
Nº ref. fabric.:
SIDR5802EP-T1-RE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

153A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

POWERPAK SO-8DC

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0042mΩ

Modo de canal

Reducción

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.15mm

Anchura

5.15 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen V

RDS muy bajo - valor de mérito (FOM) Qg

Sintonizado para el RDS más bajo - FOM Qoss

100 % comprobación Rg y UIS

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