MOSFET, N-Canal Vishay SIDR5802EP-T1-RE3, VDSS 80 V, ID 153 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 735-134
- Nº ref. fabric.:
- SIDR5802EP-T1-RE3
- Fabricante:
- Vishay
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- 735-134
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- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 153A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiD | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0029Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 80V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37.3nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 6mm | |
| Altura | 2mm | |
| Longitud | 7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 153A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiD | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0029Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 80V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37.3nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 6mm | ||
Altura 2mm | ||
Longitud 7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- DE
El MOSFET de canal N de Vishay tiene una tensión nominal de fuente de drenaje de 80 V para una conversión de potencia de alta eficiencia en aplicaciones de servidores de IA y centros de datos. Dispone de una resistencia de conexión ultrabaja de 2,9 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para reducir las pérdidas de conducción en topologías reductoras síncronas.
Corriente de drenaje continua de 153 A a TC=25 °C
Carga de puerta total típica de 28 nC para una conmutación rápida
Rango de temperaturas ampliado de -55 °C a +175 °C
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