MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiDR626EP, VDSS 60 V, ID 227 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-139
Nº ref. fabric.:
SiDR626EP
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

227A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Serie

SiD

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00174Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

68nC

Tensión directa Vf

60V

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

7mm

Anchura

6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
IL
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión drenador-fuente de 60 V, optimizado para rectificación síncrona de alta eficiencia en soluciones de servidor de potencia de IA. Proporciona una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para minimizar las pérdidas de conducción en aplicaciones de convertidor dc/dc de alta corriente.

Corriente nominal de 50,8 A a TA=25 °C y 227 A a TC=25 °C

Ajustado para la cifra de mérito RDS(on) x Qoss más baja

100 % probado Rg y UIS para mayor fiabilidad

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