MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR500DP, VDSS 30 V, ID 350.8 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

La imagen representada puede no ser la del producto

Subtotal (1 unidad)*

1,76 €

(exc. IVA)

2,13 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 01 de marzo de 2027
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
1 +1,76 €

*precio indicativo

Código RS:
735-151
Nº ref. fabric.:
SiR500DP
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Canal N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

350.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiR

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.00047Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

120nC

Tensión directa Vf

30V

Disipación de potencia máxima Pd

104.1W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

6mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

2mm

Longitud

7mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente

Corriente de drenaje continua de 94 A a TA=25 °C

Carga de puerta total típica de 54,3 nC para una conmutación rápida

Rango de temperaturas de unión ampliado de -55 °C a +175 °C

Enlaces relacionados