MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR500DP, VDSS 30 V, ID 350.8 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 735-151
- Nº ref. fabric.:
- SiR500DP
- Fabricante:
- Vishay
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Serie | SiR | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.00047Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 120nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 16V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104.1W | |
| Tensión directa Vf | 30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 2mm | |
| Longitud | 7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Serie SiR | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.00047Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 120nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 16V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104.1W | ||
Tensión directa Vf 30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 2mm | ||
Longitud 7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente
Corriente de drenaje continua de 94 A a TA=25 °C
Carga de puerta total típica de 54,3 nC para una conmutación rápida
Rango de temperaturas de unión ampliado de -55 °C a +175 °C
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