MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR4604LDP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 51 A, Reducción, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
252-0276
Nº ref. fabric.:
SIR4604LDP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

51A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.01mΩ

Modo de canal

Reducción

Disipación de potencia máxima Pd

83W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

56nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.15 mm

Longitud

6.15mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.

MOSFET de potencia TrenchFET Gen V

RDS muy bajo - valor de mérito (FOM) Qg

Sintonizado para el RDS más bajo - FOM Qoss

100 % comprobación Rg y UIS

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