MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIR4608DP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 42.8 A, Reducción, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 252-0278
- Nº ref. fabric.:
- SIR4608DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
7,48 €
(exc. IVA)
9,05 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 6025 unidad(es) más para enviar a partir del 29 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,496 € | 7,48 € |
| 50 - 245 | 1,404 € | 7,02 € |
| 250 - 495 | 1,27 € | 6,35 € |
| 500 - 1245 | 1,196 € | 5,98 € |
| 1250 + | 1,126 € | 5,63 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 252-0278
- Nº ref. fabric.:
- SIR4608DP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 42.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PowerPAK SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.01mΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 83W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 6.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Longitud | 6.15mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 42.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PowerPAK SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.01mΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 83W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 6.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Longitud 6.15mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La línea de productos de MOSFET Vishay Siliconix incluye una amplia gama de tecnologías avanzadas. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El efecto de campo significa que están controlados por tensión. Los MOSFET de canal N contienen electrones adicionales que pueden moverse libremente. Son un tipo de canal más popular. Los MOSFET de canal N funcionan cuando se aplica una carga positiva al terminal de puerta.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen V
RDS muy bajo - valor de mérito (FOM) Qg
Sintonizado para el RDS más bajo - FOM Qoss
100 % comprobación Rg y UIS
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 80 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET VDSS 60 V Reducción, PowerPAK SO-8 de 8 pines
- MOSFET sencillos VDSS 80 V Mejora, PowerPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 30 V PowerPAK SO-8