MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQA411CEJW-T1_GE3, VDSS 60 V, ID 6.46 A, Mejora, PowerPAK SC-70W-6L de 7 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*

15,30 €

(exc. IVA)

18,525 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • 3000 Envío desde el 14 de agosto de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
25 - 2250,612 €15,30 €
250 - 6000,574 €14,35 €
625 - 12250,52 €13,00 €
1250 - 24750,49 €12,25 €
2500 +0,458 €11,45 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
252-0300
Nº ref. fabric.:
SQA411CEJW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.46A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

PowerPAK SC-70W-6L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.21mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.1nC

Disipación de potencia máxima Pd

13.6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

2.05mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de automoción de Vishay se fabrican en un flujo de proceso dedicado para una robustez estándar. Clasificada con una temperatura de unión máxima de 175 °C, la serie SQ Vishay Siliconix con certificación AEC-Q101 dispone de tecnologías FET de trinchera de canal n y p de baja resistencia de conexión en encapsulados SO sin plomo (Pb) y sin halógenos.

MOSFET de potencia TrenchFET

Con certificación Q101

Terminales de flanco humedecibles

100 % comprobación Rg y UIS

Enlaces relacionados