MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQA413CEJW-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 7.5 A, Mejora, PowerPAK SC-70W-6L de 7 pines

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Código RS:
252-0302
Nº ref. fabric.:
SQA413CEJW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

PowerPAK SC-70W-6L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.21mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

13.6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.1nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

2.05mm

Anchura

2.05 mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de automoción de Vishay se fabrican en un flujo de proceso dedicado para una robustez estándar. Clasificada con una temperatura de unión máxima de 175 °C, la serie SQ Vishay Siliconix con certificación AEC-Q101 dispone de tecnologías FET de trinchera de canal n y p de baja resistencia de conexión en encapsulados SO sin plomo (Pb) y sin halógenos.

MOSFET de potencia TrenchFET

Con certificación Q101

Terminales de flanco humedecibles

100 % comprobación Rg y UIS

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