MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SQA413CEJW-T1_GE3, VDSS 20 V, ID 7.5 A, Mejora, PowerPAK SC-70W-6L de 7 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*

9,55 €

(exc. IVA)

11,55 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3050 unidad(es) más para enviar a partir del 20 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
25 - 2250,382 €9,55 €
250 - 12250,358 €8,95 €
1250 - 24750,324 €8,10 €
2500 - 62250,305 €7,63 €
6250 +0,286 €7,15 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
252-0302
Nº ref. fabric.:
SQA413CEJW-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

7.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

PowerPAK SC-70W-6L

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.21mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

13.6W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

5.1nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

2.05mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de automoción de Vishay se fabrican en un flujo de proceso dedicado para una robustez estándar. Clasificada con una temperatura de unión máxima de 175 °C, la serie SQ Vishay Siliconix con certificación AEC-Q101 dispone de tecnologías FET de trinchera de canal n y p de baja resistencia de conexión en encapsulados SO sin plomo (Pb) y sin halógenos.

MOSFET de potencia TrenchFET

Con certificación Q101

Terminales de flanco humedecibles

100 % comprobación Rg y UIS

Enlaces relacionados