MOSFET Vishay IRF630PBF, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220AB

El mosfet de potencia de tercera generación de Vishay Semiconductor proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia de conexión y rentabilidad. El encapsulado TO-220AB se prefiere universalmente para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo coste del encapsulado del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

Valor nominal dinámico dV/dt
Valor nominal de avalancha repetitiva
Conmutación rápida
Fácil de paralelizar
Requisitos de accionamiento sencillos
Categorización de material