MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRF630PBF, VDSS 200 V, ID 9 A, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
256-7275
Nº ref. fabric.:
IRF630PBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

74W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.65mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El mosfet de potencia de tercera generación de Vishay Semiconductor proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia de conexión y rentabilidad. El encapsulado TO-220AB se prefiere universalmente para todas las aplicaciones comerciales e industriales con niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50 W. La baja resistencia térmica y el bajo coste del encapsulado del TO-220AB contribuyen a su amplia aceptación en toda la industria.

Valor nominal dinámico dV/dt

Valor nominal de avalancha repetitiva

Conmutación rápida

Fácil de paralelizar

Requisitos de accionamiento sencillos

Categorización de material

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