MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 10.6 A, PowerPAK de 6 pines
- Código RS:
- 256-7404
- Nº ref. fabric.:
- SIA483ADJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 256-7404
- Nº ref. fabric.:
- SIA483ADJ-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.033Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 17.9W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 0.8mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.033Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 17.9W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 0.8mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El encapsulado powerPAK SC-70 de 30 V (D-S) mosfet iTime de canal P de Vishay Semiconductor ofrece un excelente valor de mérito RDS-Qg (FOM)
para aplicaciones de conmutación de carga y gestión de baterías, interruptores de carga, convertidores dc, dc, gestión de potencia en dispositivos de batería, móviles y portátiles.
MOSFET de potencia de canal P TrenchFET gen IV
Proporciona una excelente cifra de mérito RDS-Qg
Para aplicaciones de conmutación
100 % Rg probado