MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA483ADJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 10.6 A, PowerPAK de 6 pines

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*

6,875 €

(exc. IVA)

8,325 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 5975 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
25 +0,275 €6,88 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7405
Nº ref. fabric.:
SIA483ADJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.033Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

17.9W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El encapsulado powerPAK SC-70 de 30 V (D-S) mosfet iTime de canal P de Vishay Semiconductor ofrece un excelente valor de mérito RDS-Qg (FOM)

para aplicaciones de conmutación de carga y gestión de baterías, interruptores de carga, convertidores dc, dc, gestión de potencia en dispositivos de batería, móviles y portátiles.

MOSFET de potencia de canal P TrenchFET gen IV

Proporciona una excelente cifra de mérito RDS-Qg

Para aplicaciones de conmutación

100 % Rg probado

Enlaces relacionados