MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA445EDJ-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 12 A, PowerPAK de 6 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
256-7403
Nº ref. fabric.:
SIA445EDJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.024Ω

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El encapsulado powerPAK SC-70-6 de montaje en superficie de canal P de Vishay Semiconductor con área de huella pequeña y baja resistencia de conexión.

MOSFET de potencia TrenchFET

100 % Rg probado

Protección contra ESD integrada con diodo zener

Rendimiento ESD típico de 2.000 V

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