MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIA533EDJ-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4.5 A, PowerPAK de 6 pines

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Código RS:
256-7407
Nº ref. fabric.:
SIA533EDJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

12V

Encapsulado

PowerPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.033Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La matriz mosfet de canal N y P de Vishay Semiconductor tiene un encapsulado doble de montaje en superficie y powerPAK SC-70-6.

MOSFET de potencia TrenchFET

Probado al 100 % Rg y UIS

Protección contra ESD típica de canal n de 1.500 V, canal p de 1.000 V

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