MOSFET, N-Canal Vishay SIZ260DT-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 8.9 A, PowerPAIR de 3 x 3S de 8 pines
- Código RS:
- 256-7437
- Nº ref. fabric.:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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| 100 - 245 | 1,592 € | 7,96 € |
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- Código RS:
- 256-7437
- Nº ref. fabric.:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | SIZ260DT | |
| Encapsulado | PowerPAIR de 3 x 3S | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0247Ω | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie SIZ260DT | ||
Encapsulado PowerPAIR de 3 x 3S | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0247Ω | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Longitud 3.3mm | ||
Anchura 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SIZ260DT de Vishay, disipación de potencia máxima de 33 W, tensión de fuente de drenaje máxima de 80 V - SIZ260DT-T1-GE3
Este MOSFET es un transistor de canal N de montaje en superficie diseñado para conmutación de potencia en electrónica compacta. Funciona en un amplio rango de temperaturas y es adecuado para aplicaciones que requieren un manejo de tensión moderada y una alta capacidad de corriente continua. El dispositivo cumple la directiva RoHS y se suministra en un encapsulado compacto PowerPAIR 3x3S para diseños de placa densos.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje-fuente de 80 V permite la conmutación de tensión media
• La corriente de drenaje continua de 8,9 A admite circuitos de alta carga
• La Rds(on) de 0.0247 Ω reduce las pérdidas de conducción para mayor eficiencia
• La carga de puerta típica de 6.3 nC permite una respuesta de accionamiento de puerta más rápida
• La disipación de potencia máxima de 33 W gestiona el estrés térmico
• El límite de fuente de puerta de 20 V proporciona un amplio margen de accionamiento de puerta
• La corriente de drenaje continua de 8,9 A admite circuitos de alta carga
• La Rds(on) de 0.0247 Ω reduce las pérdidas de conducción para mayor eficiencia
• La carga de puerta típica de 6.3 nC permite una respuesta de accionamiento de puerta más rápida
• La disipación de potencia máxima de 33 W gestiona el estrés térmico
• El límite de fuente de puerta de 20 V proporciona un amplio margen de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para etapas de conmutación de convertidor dc-dc
• Se utiliza para configuraciones de medio puente de accionamiento de motor
• Ideal para la gestión de energía en equipos de telecomunicaciones
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en SMPS
• Adecuado para interruptores de carga de alta corriente en placas compactas
• Se utiliza para configuraciones de medio puente de accionamiento de motor
• Ideal para la gestión de energía en equipos de telecomunicaciones
• Se puede utilizar para rectificación síncrona en SMPS
• Adecuado para interruptores de carga de alta corriente en placas compactas
¿Qué tamaño de embalaje debería permitir el montaje?
El dispositivo se suministra en un encapsulado de montaje en superficie PowerPAIR 3x3S con un tamaño nominal de 3,3 mm x 3,3 mm y ocho contactos, por lo que las almohadillas de diseño deben coincidir con este perfil compacto.
¿Cómo se comporta a temperaturas extremas?
Está especificado para funcionar de -55 °C a +150 °C, manteniendo las características de conducción y conmutación dentro de ese rango de temperaturas.
¿Qué limitaciones de accionamiento de puerta deben respetarse?
La tensión de puerta-fuente máxima admisible es de 20 V
Los circuitos de accionamiento de puerta deben diseñarse para mantener Vgs dentro de este límite para evitar la tensión del dispositivo.
¿Cómo debe tenerse en cuenta la gestión térmica en los diseños?
Con una disipación de potencia máxima de 33 W, se deben incorporar cobre de PCB adecuado, vias térmicas o disipador térmico para mantener la temperatura de unión dentro de límites seguros.
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