MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIZ260DT-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 8.9 A, PowerPAIR de 3 x 3S de 8 pines
- Código RS:
- 256-7437
- Nº ref. fabric.:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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| 100 - 245 | 1,592 € | 7,96 € |
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- Código RS:
- 256-7437
- Nº ref. fabric.:
- SIZ260DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PowerPAIR de 3 x 3S | |
| Serie | SIZ260DT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.0247Ω | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 33W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.3mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PowerPAIR de 3 x 3S | ||
Serie SIZ260DT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.0247Ω | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 33W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.3mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET serie SIZ260DT de Vishay, tensión de fuente de drenaje de 80 V, corriente de drenaje continua de 8,9 A - SIZ260DT-T1-GE3
Este MOSFET es un transistor de canal N de montaje en superficie diseñado para conmutación y gestión de potencia en sistemas electrónicos industriales. Funciona a temperaturas elevadas y admite corrientes continuas moderadas, lo que lo convierte en adecuado para conjuntos compactos donde se requiere resistencia térmica y manejo de tensión.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje de 80 V permite su uso en circuitos de media tensión
• La corriente continua de 8,9 A permite la conducción de carga sostenida
• La Rds(on) de 0,0247 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 6,3 nC admite conmutación rápida
• La disipación de potencia de 33 W permite un manejo de potencia superior
• La tolerancia de puerta de ±20 V se adapta a diversos rangos de accionamiento de puerta
• La corriente continua de 8,9 A permite la conducción de carga sostenida
• La Rds(on) de 0,0247 Ω reduce las pérdidas por conducción
• La carga de puerta típica de 6,3 nC admite conmutación rápida
• La disipación de potencia de 33 W permite un manejo de potencia superior
• La tolerancia de puerta de ±20 V se adapta a diversos rangos de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Apto para convertidores dc-dc en equipos de automatización
• Ideal para etapas de motor-controlador en accionamientos industriales
• Se utiliza para conmutación de potencia en módulos de control
• Se puede utilizar para conmutación de carga en la gestión de baterías
• Apto para conjuntos de alimentación SMD compactos en sistemas eléctricos
• Ideal para etapas de motor-controlador en accionamientos industriales
• Se utiliza para conmutación de potencia en módulos de control
• Se puede utilizar para conmutación de carga en la gestión de baterías
• Apto para conjuntos de alimentación SMD compactos en sistemas eléctricos
¿Qué temperaturas extremas puede soportar durante el funcionamiento?
Está clasificado para funcionar hasta -55 °C y hasta +150 °C, lo que permite su uso en entornos con amplias fluctuaciones térmicas.
¿Cómo afecta la forma de encapsulado al diseño de la placa de circuito impreso?
El encapsulado SMD PowerPAIR 3x3S con ocho contactos concentra contactos de potencia y señal para rutas térmicas cortas y diseño de almohadilla térmica sencillo.
¿Es adecuado este dispositivo para aplicaciones de automoción?
No se especifica que cumpla los estándares de automoción, por lo que no debe seleccionarse cuando se requiera una aprobación formal de grado de automoción.
¿Cuáles son las ventajas del número de contactos del dispositivo para el diseño de circuitos?
La disposición de ocho contactos separa las conexiones de puerta y fuente de las vías de alimentación, lo que simplifica el enrutamiento de accionamiento de puerta y la gestión térmica.
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