MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 150 V, ID 27 A, PQFN de 8 pines

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Código RS:
257-5525
Nº ref. fabric.:
IRFH5215TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

27A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

58mΩ

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

21nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Longitud

6mm

Altura

0.9mm

Anchura

5 mm

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

RDSon bajo (< 58 m)

Baja resistencia térmica a PCB (<12 °C/W)

100% Rg probado

Perfil bajo (<09 mm)

Conexión de contactos estándar del sector

Compatible con técnicas de montaje en superficie existentes

Conformidad con RoHS que no contiene plomo, bromo ni halógenos para el medio ambiente

MSL1, calificación industrial

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