MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFH5215TRPBF, VDSS 150 V, ID 27 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 257-5871
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5215TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,84 € | 9,20 € |
| 50 - 120 | 1,582 € | 7,91 € |
| 125 - 245 | 1,492 € | 7,46 € |
| 250 - 495 | 1,38 € | 6,90 € |
| 500 + | 1,288 € | 6,44 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-5871
- Nº ref. fabric.:
- IRFH5215TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 27A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 150V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 58mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 21nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 104W | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.9mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 5 mm | |
| Longitud | 6mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 27A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 150V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 58mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 21nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 104W | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.9mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 5 mm | ||
Longitud 6mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
RDSon bajo (< 58 m)
Baja resistencia térmica a PCB (<12 °C/W)
100% Rg probado
Perfil bajo (<09 mm)
Conexión de contactos estándar del sector
Compatible con técnicas de montaje en superficie existentes
Conformidad con RoHS que no contiene plomo, bromo ni halógenos para el medio ambiente
MSL1, calificación industrial