MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 25 V, ID 21 A, PQFN de 6 pines
- Código RS:
- 257-5535
- Nº ref. fabric.:
- IRFHS8242TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*
972,00 €
(exc. IVA)
1.176,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4000 unidad(es) más para enviar a partir del 29 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 4000 - 4000 | 0,243 € | 972,00 € |
| 8000 + | 0,214 € | 856,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-5535
- Nº ref. fabric.:
- IRFHS8242TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13mΩ | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 0.9mm | |
| Longitud | 2mm | |
| Anchura | 2 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 0.9mm | ||
Longitud 2mm | ||
Anchura 2 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
RDSon bajo (< 58 m)
Baja resistencia térmica a PCB (<12 °C/W)
100% Rg probado
Perfil bajo (<09 mm)
Conexión de contactos estándar del sector
Compatible con técnicas de montaje en superficie existentes
Conformidad con RoHS que no contiene plomo, bromo ni halógenos para el medio ambiente
MSL1, calificación industrial