MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFHS8242TRPBF, VDSS 25 V, ID 21 A, PQFN de 6 pines
- Código RS:
- 257-5793
- Número de artículo Distrelec:
- 304-40-531
- Nº ref. fabric.:
- IRFHS8242TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 0,333 € | 8,33 € |
| 125 - 225 | 0,316 € | 7,90 € |
| 250 - 600 | 0,283 € | 7,08 € |
| 625 - 1225 | 0,233 € | 5,83 € |
| 1250 + | 0,15 € | 3,75 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-5793
- Número de artículo Distrelec:
- 304-40-531
- Nº ref. fabric.:
- IRFHS8242TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 21A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 25V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 13mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 2mm | |
| Altura | 0.9mm | |
| Anchura | 2 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 21A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 25V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 13mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 2mm | ||
Altura 0.9mm | ||
Anchura 2 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
RDSon bajo (< 58 m)
Baja resistencia térmica a PCB (<12 °C/W)
100% Rg probado
Perfil bajo (<09 mm)
Conexión de contactos estándar del sector
Compatible con técnicas de montaje en superficie existentes
Conformidad con RoHS que no contiene plomo, bromo ni halógenos para el medio ambiente
MSL1, calificación industrial