MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 20 V, ID 3.4 A, PQFN

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 4000 unidades)*

864,00 €

(exc. IVA)

1.044,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 21 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
4000 - 40000,216 €864,00 €
8000 +0,205 €820,00 €

*precio indicativo

Código RS:
257-5572
Nº ref. fabric.:
IRLHS6276TRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Serie

HEXFET

Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

65mΩ

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

3.1nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±12 V

Disipación de potencia máxima Pd

9.6W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

2 mm

Certificaciones y estándares

RoHS Compliant

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector

RDS(on) bajo en encapsulado pequeño

Enlaces relacionados