MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLHS6276TRPBF, VDSS 20 V, ID 3.4 A, PQFN
- Código RS:
- 257-5826
- Nº ref. fabric.:
- IRLHS6276TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,44 € | 4,40 € |
| 100 - 240 | 0,419 € | 4,19 € |
| 250 - 490 | 0,374 € | 3,74 € |
| 500 - 990 | 0,265 € | 2,65 € |
| 1000 + | 0,216 € | 2,16 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-5826
- Nº ref. fabric.:
- IRLHS6276TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 3.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 65mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 9.6W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±12 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Anchura | 2 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 3.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 65mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 9.6W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±12 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Anchura 2 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Encapsulado de alimentación de orificio pasante estándar del sector
RDS(on) bajo en encapsulado pequeño