MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRLHM620TRPBF, VDSS 20 V, ID 40 A, PQFN

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

5,00 €

(exc. IVA)

6,05 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Los pedidos inferiores a 80,00 € (exc. IVA) tienen un coste de 7,00 €.
Disponible
  • Disponible(s) 3970 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 451,00 €5,00 €
50 - 1200,90 €4,50 €
125 - 2450,842 €4,21 €
250 - 4950,65 €3,25 €
500 +0,466 €2,33 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
257-5802
Nº ref. fabric.:
IRLHM620TRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.5mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

37W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia de MOSFET de potencia strongIRFET de Infineon está optimizada para RDS bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La cartera completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.

Optimizado para ofrecer la más amplia disponibilidad de socios de distribución

Calificación del producto según el estándar JEDEC

Encapsulado de montaje superficial estándar del sector

Potencial alternativo RDS(on) alto, encapsulado SuperSO8

Enlaces relacionados