MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS4127TRLPBF, VDSS 200 V, ID 72 A, TO-262
- Código RS:
- 257-5836
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4127TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,31 € | 6,62 € |
| 20 - 48 | 2,945 € | 5,89 € |
| 50 - 98 | 2,78 € | 5,56 € |
| 100 - 198 | 2,58 € | 5,16 € |
| 200 + | 2,39 € | 4,78 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 257-5836
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4127TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 72A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-262 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 18.6mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 100nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 72A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-262 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 18.6mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 100nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon tiene una resistencia dV/dt de puerta, avalancha y dinámica mejorada y un SOA de avalancha y capacitancia completamente caracterizado.
Capacidad de diodo de cuerpo dV/dt y dI/dt mejorada
Sin plomo
Rectificación síncrona de alta eficiencia en SMPS
Fuente de alimentación ininterrumpida