MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRF5802TRPBF, VDSS 150 V, ID 0.9 A, TSOP-6 de 6 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
257-9290
Nº ref. fabric.:
IRF5802TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

150V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TSOP-6

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

150mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

2W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es la familia IR Mosfet de Mosfet de potencia que utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

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