MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS -40 V, ID -3.4 A, TSOP-6 de 6 pines

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Código RS:
257-9291
Nº ref. fabric.:
IRF5803TRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-3.4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

-40V

Encapsulado

TSOP-6

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.3W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

La serie IRF de Infineon es el mosfet de potencia de un canal P de -40 V en un encapsulado TSOP 6 (Micro 6). La familia IR mosfet de mosfets de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo de 100 kHz

Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector

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