MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD068P03L3GATMA1, VDSS 30 V, ID 70 A, N, TO-252

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

7,38 €

(exc. IVA)

8,93 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1610 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 451,476 €7,38 €
50 - 1201,344 €6,72 €
125 - 2451,252 €6,26 €
250 - 4951,184 €5,92 €
500 +1,092 €5,46 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
258-3831
Nº ref. fabric.:
IPD068P03L3GATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

IPD

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.6mΩ

Modo de canal

N

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal P de Infineon es una familia OptiMOS muy innovadora que incluye MOSFET de potencia de canal P. Estos productos cumplen constantemente las más altas exigencias de calidad y rendimiento en las especificaciones clave para el diseño de sistemas de alimentación, como la resistencia de estado activo y las características de mérito.

Modo de mejora

Nivel lógico

Valor nominal de avalancha

Conmutación rápida

Valor nominal Dv/dt

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.