MOSFET, Tipo P-Canal Infineon IPD042P03L3GATMA1, VDSS 30 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 825-9051
- Nº ref. fabric.:
- IPD042P03L3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 825-9051
- Nº ref. fabric.:
- IPD042P03L3GATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo P | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 70A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | OptiMOS P | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 131nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión directa Vf | -1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.73mm | |
| Altura | 2.41mm | |
| Anchura | 5.97mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo P | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 70A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie OptiMOS P | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 131nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión directa Vf -1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.73mm | ||
Altura 2.41mm | ||
Anchura 5.97mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie OptiMOS P de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 30 V, corriente de drenaje continua máxima de 70 A - IPD042P03L3GATMA1
Este MOSFET es un transistor de potencia de modo de mejora de canal P diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere un manejo de alta corriente y un rango de funcionamiento térmico robusto. Funciona como un dispositivo de conmutación de alto rendimiento en circuitos de conversión de potencia y control de carga, proporcionando baja pérdida de conducción y comportamiento controlado de accionamiento de puerta para sistemas electrónicos exigentes.
Características y ventajas:
• La RDS(on) de 6,8 mΩ minimiza las pérdidas por conducción para mejorar la eficiencia
• La corriente de drenaje continua de 70 A admite conmutación de carga pesada
• La disipación de potencia de 150 W permite un manejo térmico sostenido
• La carga de puerta típica de 131 nC permite un comportamiento de conmutación predecible
• El rango de funcionamiento de -55 °C a 175 °C permite el despliegue a altas temperaturas
• El valor nominal VGS de ±20 V garantiza flexibilidad de tensión de accionamiento de puerta
• La corriente de drenaje continua de 70 A admite conmutación de carga pesada
• La disipación de potencia de 150 W permite un manejo térmico sostenido
• La carga de puerta típica de 131 nC permite un comportamiento de conmutación predecible
• El rango de funcionamiento de -55 °C a 175 °C permite el despliegue a altas temperaturas
• El valor nominal VGS de ±20 V garantiza flexibilidad de tensión de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Adecuado para la rectificación síncrona en convertidores CC-CC
• Ideal para conmutar cargas de alta corriente en fuentes de alimentación
• Se utiliza con controladores de motor que requieren una baja resistencia de conducción
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y circuitos de protección
• Adecuado para módulos de potencia de montaje en superficie de alta densidad
• Ideal para conmutar cargas de alta corriente en fuentes de alimentación
• Se utiliza con controladores de motor que requieren una baja resistencia de conducción
• Puede utilizarse para la gestión de baterías y circuitos de protección
• Adecuado para módulos de potencia de montaje en superficie de alta densidad
¿Qué tipo de encapsulado debo prever para tener en cuenta la disposición de la placa de circuito impreso?
El dispositivo se suministra en un encapsulado de montaje en superficie TO-252 con tres pines, lo que permite la colocación compacta de la placa y el enrutamiento con placa térmica.
¿Cómo gestiona el dispositivo las tensiones de accionamiento de puerta durante el funcionamiento?
La tensión máxima de fuente de puerta es de ±20 V, por lo que los controladores de puerta deben especificarse dentro de este límite para evitar sobretensión.
¿Cuál es la tensión máxima que puede bloquear este transistor?
Tiene una tensión máxima de drenaje-fuente de 30 V, lo que define su idoneidad para sistemas de alimentación de baja tensión.
¿Hay limitaciones en la tensión directa durante la conducción?
La tensión directa típica es de -1,1 V, lo que afecta a los cálculos de pérdida de conducción en el diseño de circuitos.
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