MOSFET Infineon IPLK60R600PFD7ATMA1, VDSS 650 V, ID 14 A, TDSON
- Código RS:
- 258-3889
- Nº ref. fabric.:
- IPLK60R600PFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,22 € | 2,44 € |
| 20 - 48 | 1,085 € | 2,17 € |
| 50 - 98 | 1,01 € | 2,02 € |
| 100 - 198 | 0,935 € | 1,87 € |
| 200 + | 0,88 € | 1,76 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3889
- Nº ref. fabric.:
- IPLK60R600PFD7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 14A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TDSON | |
| Serie | IPL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.9mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 14A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TDSON | ||
Serie IPL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de superunión CoolMOS PFD7 de 600 V de Infineon complementa la oferta CoolMOS 7 para aplicaciones de consumo. El MOSFET de superunión en un encapsulado ThinPAK 5x6 dispone de RDS(on) de 600 mOhm que conduce a bajas pérdidas de conmutación. Este encapsulado se caracteriza por un tamaño muy pequeño de 5 x 6 mm2 y un perfil muy bajo con una altura de 1 mm. Junto con su referencia de bajo nivel de parásitos, estas características conducen a factores de forma significativamente más pequeños y ayudan a aumentar la densidad de potencia. Los productos CoolMOS PFD7 se suministran con un diodo de cuerpo rápido que garantiza un dispositivo robusto y, a su vez, reduce la factura de material para el cliente.
RDS(on) x Eoss FOM muy bajo
Diodo de cuerpo rápido robusto integrado
Protección ESD de hasta 2 kV
Amplia gama de valores RDS(on)
Pérdidas de conmutación minimizadas
Mejora de la densidad de potencia en comparación con la última tecnología de cargador CoolMOS