MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPT019N08N5ATMA1, VDSS 80 V, ID 247 A, HSOF
- Código RS:
- 258-3903
- Nº ref. fabric.:
- IPT019N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 9 | 4,28 € |
| 10 - 24 | 4,08 € |
| 25 - 49 | 3,98 € |
| 50 - 99 | 3,73 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3903
- Nº ref. fabric.:
- IPT019N08N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 247A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | HSOF | |
| Serie | IPT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.9mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 247A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado HSOF | ||
Serie IPT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.9mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal n de 80 V OptiMOS 5 de Infineon en encapsulado TO-Leadless es ideal para altas frecuencias de conmutación. Este encapsulado está especialmente diseñado para aplicaciones de alta corriente como carretillas elevadoras, vehículos eléctricos ligeros, POL y telecomunicaciones. Con una reducción de espacio del 60% en comparación con el encapsulado D2PAK de 7 contactos, TO-Cordless es la solución perfecta donde se necesita la máxima eficiencia, un comportamiento EMI excepcional, así como el mejor comportamiento térmico y reducción de espacio.
Optimizado para rectificación síncrona
Ideal para alta frecuencia de conmutación
Menos paralelismo necesario
Mayor densidad de potencia