MOSFET Infineon, N-Canal IRF200P222, VDSS 200 V, ID 182 A, TO-247AC de 3 pines

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Código RS:
258-3958
Nº ref. fabric.:
IRF200P222
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds)

200 V

Corriente continua máxima de drenaje (ld)

182 A

Encapsulado

TO-247AC

Número de pines

3

Estándar de automoción

No

Tensión directa (Vf)

1.2 V

Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds)

6.6 mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175 °C

Disipación de potencia máxima (Pd)

556 W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tipo de montaje

Superficie, Orificio pasante

Serie

HEXFET

Certificaciones y estándares

RoHS

Carga típica de puerta (Qg) @ Vgs

135 nC

The Infineon MOSFET StrongIRFET is improved gate, avalanche and dynamic dv/dt ruggedness, it is fully characterized capacitance and avalanche SOA.

Enhanced body diode dv/dt and di/dt capability

Lead-free, RoHS compliant

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