MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF200P222, VDSS 200 V, ID 182 A, TO-247AC de 3 pines
- Código RS:
- 258-3958
- Nº ref. fabric.:
- IRF200P222
- Fabricante:
- Infineon
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 258-3958
- Nº ref. fabric.:
- IRF200P222
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 182A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-247AC | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie, Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6.6mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 556W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 135nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 182A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-247AC | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie, Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6.6mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 556W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 135nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon StrongIRFET tiene una resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámica mejorada, se caracteriza completamente por SOA de avalancha y capacitancia.
Capacidad de diodo de cuerpo dv/dt y di/dt mejorada
Sin plomo, conforme a RoHS
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