MOSFET Infineon, Tipo N-Canal IRF200P222, VDSS 200 V, ID 182 A, TO-247AC de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
258-3959
Nº ref. fabric.:
IRF200P222
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

182A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-247AC

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Montaje superficial, Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

6.6mΩ

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

556W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

135nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon StrongIRFET tiene una resistencia de puerta, avalancha y dv/dt dinámica mejorada, se caracteriza completamente por SOA de avalancha y capacitancia.

Capacidad de diodo de cuerpo dv/dt y di/dt mejorada

Sin plomo, conforme a RoHS

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