MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 30 V, ID 280 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 258-3971
- Nº ref. fabric.:
- IRFH8303TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
- Código RS:
- 258-3971
- Nº ref. fabric.:
- IRFH8303TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 280A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.7mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 156W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 0.9mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 280A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.7mΩ | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 156W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 0.9mm | ||
Estándar de automoción No | ||
La familia de MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET está optimizada para RDS(on) bajo y alta capacidad de corriente. Los dispositivos son ideales para aplicaciones de baja frecuencia que requieren rendimiento y robustez. La gama completa aborda una amplia gama de aplicaciones, incluidos motores dc, sistemas de gestión de baterías, inversores y convertidores dc-dc.
Diodo de cuerpo más suave en comparación con la generación anterior de silicio
Amplia cartera disponible
Mayor densidad de potencia