MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 5 A, TO-252

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Código RS:
258-3981
Nº ref. fabric.:
IRFR220NTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

HEXFET

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

600mΩ

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

15nC

Disipación de potencia máxima Pd

43W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La familia MOSFET de Infineon de MOSFET de potencia utiliza procesos de silicio probados que ofrecen a los diseñadores una amplia gama de dispositivos para admitir diversas aplicaciones como motores dc, inversores, SMPS, iluminación, interruptores de carga, así como aplicaciones alimentadas por batería. Los dispositivos están disponibles en una variedad de encapsulados de montaje en superficie y de orificio pasante con huellas estándar del sector para facilitar el diseño.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Mayor robustez

Amplia disponibilidad de socios de distribución

Nivel de cualificación estándar del sector

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