MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 40 A, N, TO-263 de 8 pines

Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*

2.070,00 €

(exc. IVA)

2.505,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Envío desde el 23 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
5000 +0,414 €2.070,00 €

*precio indicativo

Código RS:
258-7019
Nº ref. fabric.:
BSC252N10NSFGATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

40A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

BSC

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

25.2mΩ

Modo de canal

N

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia OptiMOS de Infineon ofrece soluciones superiores de alta eficiencia y SMPS de alta densidad de potencia. En comparación con la siguiente mejor tecnología, esta familia de MOSFET alcanza una reducción del 30 por ciento tanto en RDS(on) como en la cifra de mérito.

Excelente rendimiento de conmutación

El RDS más bajo del mundo

Sin halógenos conforme con RoHS

Nivel de protección MSL1 2

Enlaces relacionados