MOSFET, N-Canal Infineon IPD50N04S4L08ATMA1, VDSS 40 V, ID 50 A, N, TO-252
- Código RS:
- 259-1554
- Nº ref. fabric.:
- IPD50N04S4L08ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 259-1554
- Nº ref. fabric.:
- IPD50N04S4L08ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 50A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | IPD | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.30mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 50A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie IPD | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.30mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie IPD de Infineon, tensión de drenaje-fuente de 40 V, corriente de drenaje continua de 50 A - IPD50N04S4L08ATMA1
Este MOSFET es un transistor de canal N de montaje en superficie diseñado para aplicaciones de conmutación de potencia y alta corriente. Funciona en un amplio rango de temperaturas y cumple los requisitos RoHS, por lo que es adecuado para aplicaciones en las que el cumplimiento de sustancias restringidas y el montaje en superficie compacto son importantes.
Características y ventajas:
• Rds(on) de 7,3 mΩ que proporciona bajas pérdidas de conducción
• 40 V Vds que permite la conmutación de potencia de tensión moderada
• 50 A Id que proporciona una capacidad de corriente continua sustancial
• Encapsulado TO-252 compatible con montaje SMD compacto
• Valor nominal de -55 °C a 175 °C que permite un amplio funcionamiento térmico
• 40 V Vds que permite la conmutación de potencia de tensión moderada
• 50 A Id que proporciona una capacidad de corriente continua sustancial
• Encapsulado TO-252 compatible con montaje SMD compacto
• Valor nominal de -55 °C a 175 °C que permite un amplio funcionamiento térmico
Aplicaciones
• Se utiliza con controladores de motor de alta corriente
• Apto para la gestión de baterías y carriles de alimentación
• Ideal para etapas de salida de convertidor dc-dc
• Se puede utilizar para conmutar cargas en entornos hostiles
• Se utiliza para la distribución de potencia en electrónica compacta
• Apto para la gestión de baterías y carriles de alimentación
• Ideal para etapas de salida de convertidor dc-dc
• Se puede utilizar para conmutar cargas en entornos hostiles
• Se utiliza para la distribución de potencia en electrónica compacta
¿Qué método de montaje utiliza?
Se suministra en un encapsulado TO-252 configurado para montaje en superficie.
¿Es adecuado el dispositivo para la certificación de automoción?
El componente no está especificado como conforme a los estándares de automoción.
¿Qué cumplimiento normativo cumple para sustancias peligrosas?
Cumple los requisitos de sustancias restringidas de la directiva RoHS.
¿Qué tipo de canal y polaridad se proporcionan?
El transistor es un dispositivo de canal N con polaridad de canal N.