Transistor MOSFET Infineon IPB026N10NF2SATMA1, VDSS 100 V, ID 162 A, PG-TO263-3

Los MOSFET de potencia Infineon StrongIRFET 2 están optimizados para una amplia gama de aplicaciones como SMPS, accionamiento de motor, alimentación por batería, gestión de baterías, SAI y vehículos eléctricos ligeros. Esta nueva tecnología ofrece hasta un 40 por ciento de mejora de RDS(on) y hasta un 60 por ciento de Qg inferior en comparación con los dispositivos StrongIRFET anteriores, lo que se traduce en una mayor eficiencia de potencia para mejorar el rendimiento general del sistema. El aumento de las corrientes nominales permite una mayor capacidad de transporte de corriente, lo que elimina la necesidad de paralelizar varios dispositivos, lo que se traduce en menores costes de BOM y ahorros de placa.

Amplia disponibilidad de socios de distribución
Excelente relación precio/rendimiento
Ideal para frecuencias de conmutación altas y bajas
Encapsulado de orificio pasante estándar de la industria
Corriente nominal alta