MOSFET, N-Canal Infineon IPP015N04NF2SAKMA1, VDSS 40 V, ID 193 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
260-1058
Nº ref. fabric.:
IPP015N04NF2SAKMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

193A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

IPP

Encapsulado

TO-220

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.86V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

106nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

10.67mm

Certificaciones y estándares

IEC 61249-2-21, RoHS

Longitud

15.8mm

Altura

4.75mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon proporciona una solución para una amplia gama de aplicaciones, desde baja a alta frecuencia de conmutación, con una amplia disponibilidad de socios de distribución hasta una excelente relación de precio y rendimiento.

Ideal para frecuencia de conmutación alta y baja

Encapsulado de orificio pasante estándar de la industria

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